新材料系列报告之六：存储器量产元年临近，前驱体材料国产化势在必行
2018-06-06 21:39:32 来源：东方财富网
我国半导体芯片受制于人，大容量存储迎来突破。 2017 年我国集成电路市场规模达到 1.67万亿元，同比增长 17.5%，但是国内集成电路市场主要依赖进口，进口额达到 2601 亿美元，贸易逆差达到 1932 亿美元。作为使用最为普遍的一种高端通用芯片，存储器在集成电路细分市场中规模居首。由于越来越多经济、社会、科技、军事等信息和资源被存储器储存收集，极易被窃取和利用，存储器作为信息存储的核心载体，其安全性更受到高度重视。因此存储芯片国产化已上升为涉及国家信息安全的战略地位。同时从海外半导体产业发展路径看，存储器产业发展成为其实现国家半导体产业崛起的切入点。因此我国加大了对存储器产业的投入，重点推进以长江存储（武汉新芯）、合肥长鑫、福建晋华为代表的存储器项目， 2019 年有望成为量产元年。
存储器推动半导体销售额高增， 3D NAND 渐成主流。 2014-2016 年全球半导体销售额基本变化不大，而 2017 年半导体销售额同比增长 21.6%，达到创纪录的 4122 亿美元，主要得益于存储器市场的高速增长， 2017 年存储器市场销售额大幅增长 61.5%，达到 1240 亿美元。数据中心、 移动、汽车、物联网等领域的发展使得对存储速度和容量的要求不断提高，为了突破 2D NAND 的物理极限，三星、海力士、东芝等主流厂商将技术转向 3D NAND， 根据IBS 预测 3D NAND 市场将由 2015 年 7.1%提升至 2025 年的 98.2%，市场规模将达到 685 亿美元。
大容量存储对应高深宽比制造要求， ALD 沉积工艺更具优势。 随着 DRAM 制程的不断缩窄以及 3D NAND 的发展，对深宽比制造要求越来越高， ALD 沉积工艺相比传统 CVD 和 PVD 具有更好的均匀性和台阶覆盖能力，更适用于大容量存储制造过程。
前驱体市场不断扩大， 3D 结构刺激需求增长。前驱体是半导体薄膜沉积工艺的主要原材料，主要应用于气相沉积（包括 PVD、 CVD 及 ALD），以形成符合半导体制造要求的各类薄膜层。随下游逻辑、存储等芯片产业发展，前驱体总体市场规模将保持快速增长。 根据日本富士经济数据,全球前驱体销售规模在 2014 年约 7.5 亿美元，预计 2019 年达到约 12.0 亿美元,CAGR 10%。 根据 Techcet 的报告，由于复杂的 3D 结构极大的激发了对高 k 沉积制程的需求，带动高 k 及金属前驱体市场快速增长， 2015 年用于 ALD/CVD 的高 k 及金属前驱体市场规模为 1.85 亿美元,2019 年增长为 3.25 亿美元， CAGR 约 15%。
投资建议： 随着存储器容量及储存速度需求的不断提升，大容量 3D NAND 将成为未来主流，刺激前驱体需求快速增长，同时国内长江存储、合肥长鑫、福建晋华等存储器项目投产临近， 2019 年有望成为量产元年，前驱体国产化势在必行，率先切入产业链的企业将形成先发优势，充分享受产业上升期的市场红利。重点推荐： 雅克科技： 公司通过收购实现对韩国前驱体企业 UP Chemical 100%控股，未来将填补国内半导体前驱体空白。 UP Chemical前驱体主要用于存储、逻辑芯片制造的 CVD 和 ALD 沉积技术， 广泛应用于高端制程下 DRAM以及先进的 3D NAND 的制造工艺，客户包括海力士、三星、东芝、台积电等全球主流半导体厂商，未来在大基金助力下，将加速导入国内长江存储、中芯国际等，势必迎来加速发展。
风险提示： 3D NAND 市场渗透率不及预期，国内存储器项目量产进度不及预期，前驱体企业国产化导入进度不及预期
本文来源：东方财富网责任编辑：KS002
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